今年济南市四成交通事故涉及电动车 头部损伤是事故伤亡“主因”

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三安光电副总经理陈东坡预计，市损伤事在2023-2024年，长续航里程的车型基本上80-90%、甚至100%都会导入碳化硅（SiC）器件。2021年5月至2022年4月，成交我国公共充电桩保有量从88.4万台增长至133.2万台。

SiC模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等IGBT模块且随着开关频率的提高，通事头部与IGBT模块的损耗差越大，通事头部SiC模块在降低损耗的同时可以实现高速开关，有助于降低电池用量，提高续航里程，解决新能源汽车痛点。IGBT是决定电动车性能的核心器件之一，故涉故伤主要应用于电池管理系统、故涉故伤电动控制系统、空调控制系统、充电系统等，主要功能在于在逆变器中将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电。据英飞凌最新的材料显示，动车我们看到英飞凌是现代EMP系列SiC的主要提供商。

高临界击穿电场的特性使其能够将MOSFET带入高压领域，主因克服IGBT在开关过程中的拖尾电流问题，主因降低开关损耗和整车能耗，减少无源器件如电容、电感等的使用，从而减少系统体积和重量。功率半导体中，今年济南及电IGBT和SiC表现极为强势，被一众芯片厂商所看好。

用于DC/DC转换器、市损伤事温度PTC、水泵、油泵、空调压缩机等系统中。

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